综述了RB-IGBT的发展历程和双向阻断耐压原理，利用半导体器件仿真软件，分析了影响RB-IGBT的击穿电压的主要因素，并对RB-IGBT的终端区进行设计。本文提出了一种场限环和场板组合终端的3300V RB-IGBT。仿真结果表明：相比于场限环易受外界电荷影响和场板对表面电荷敏感的缺点，场限环场板复合终端结合了二者的优点，且有效减小了终端区面积，提高了芯片利用率。