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会员 场限环场板复合终端型3300V RB-IGBT
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  • 2025/01/01
  • 作者:
    马丽  , 李旖晨  , 王云飞  
  • 页数:
    4
  • 页码:
    2025 - 2028
  • 资源:
  • 文件大小:
    0.46M
摘要
综述了RB-IGBT的发展历程和双向阻断耐压原理,利用半导体器件仿真软件,分析了影响RB-IGBT的击穿电压的主要因素,并对RB-IGBT的终端区进行设计。本文提出了一种场限环和场板组合终端的3300V RB-IGBT。仿真结果表明:相比于场限环易受外界电荷影响和场板对表面电荷敏感的缺点,场限环场板复合终端结合了二者的优点,且有效减小了终端区面积,提高了芯片利用率。
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