本文基于瞬态阻断保护器的基本结构（TBU：Transient Blocking Unit），提出了一种可实现双向过流保护的瞬态阻断保护器的电路结构，并通过工艺整合，创新性提出了单片集成的JCD工艺，集成了耗尽型功率MOS、JFET、增强型NMOS、电阻、二极管器件，电路仿真验证表明，其触发电流为138mA，Reset电压为12.2V，阻断时间为0.15μs，即在0.15μs以内就可限制大电流到1mA以下，电路正常工作时的阻抗为10–11Ω，功耗极低。与国外同类产品相比，本次所设计的瞬态阻断保护器在制作方法、内阻值、阻断时间、自恢复功能和成本方面占有明显优势，可以广泛应用于各类高速通信端口（如USB3.0、HDMI、5G等）的过流保护中。