本文设计了一款适用于 SiC MOSFET IPM 的连续可调多等级驱动电路，实现驱动电压、电阻连续调节。通过双脉冲实验对该驱动电路的性能进行验证。结果表明，相对于传统驱动电路，连续可调多等级驱动电路能够实现精细化调节开关过程，使 SiC MOSFET IPM 开关效果得到进一步优化。