相比其他硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET在发生短路时具有更短的耐受时间和重复短路后退化的风险，这对SiC MOSFET的短路保护电路设计提出了挑战。本文设计并搭建了SiC MOSFET的短路测试平台。基于该测试平台，测量并讨论了栅极电压、短路耐受时间与短路峰值电流过冲之间的关系。实验结果表明，较低的栅极电压可显著增加短路耐受时间并减小短路电流。本文提出并设计了一种带有软关断电路的短路保护方案，可在硬开关故障条件下实现快速的短路保护响应，并降低故障峰值电流。软关断电路还能有效抑制由功率回路杂散电感引起的电压过冲。相比硬关断条件，在相同条件下使用软关断可将电压过冲从124 V降至40 V。