SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗低等优越特性，然而快速的开通和关断通常会带来严重的开关振荡。本文介绍了一种采用直流侧阻尼电路和门极驱动相结合的方法来抑制SiC-MOSFET逆变器的关断振荡，并引入根轨迹法设计阻尼电路参数，同时讨论了门极驱动设计的影响和局限性。最后，通过SiC-MOSFET半桥电路和三相逆变器的实验测试初步验证了组合设计的方法。