采用金属陶瓷外壳，分析传统的陶瓷基片及其金属化体系，探究了金属陶瓷材料设计、芯片烧结区表层金属的微观组织、膜层结合力对新型功率器件碳化硅二极管性能的影响，研究芯片烧结区不同材料体系对新型功率器件碳化硅二极管可靠性的影响机制。提出满足新型碳化硅功率器件的材料体系，并进行相应的验证。提出新型功率器件碳化硅二极管烧结的材料系统设计，碳化硅芯片通过氧化铍陶瓷实现与外壳绝缘，中间用钼金属片实现芯片到陶瓷的过渡，底板金属采用钨铜合金。材料系统的最外层金属即过渡金属外表面处理，使外表面有利于后续工艺实施，并形成了成熟工艺技术。通过实验结果对比芯片烧结区表层金属的微观组织、膜层结合力对新型功率器件碳化硅二极管性能的影响，分析确定了烧结区镀覆金属的制作工艺流程。