混沌SPWM是基于混沌理论提出的一种改进型正弦脉宽调制方法，其在抑制变换器电磁干扰上有显著效果，然而混沌SPWM对变换器中功率开关器件温升影响的研究尚属空白，本文以四象限整流器中IGBT为例，首次为混沌SPWM控制下功率开关器件搭建了温升模型。首先基于SolidWorks对功率器件IGBT搭建了3D模型，并将其导入Icepak中，然后通过IGBT的损耗分析模型理论计算了整流器分别工作于混沌SPWM和传统SPWM控制方式下的IGBT的损耗功率，并在Icepak中进行相应的动态仿真，仿真结果表明在同样的输出功率条件下，基于Logistic映射的混沌SPWM控制下变换器功率器件温升略高于传统SPWM控制下的器件温升。最后，本文基于仿真模型搭建了温升实验平台，实验证明了仿真的正确性。此结论对于混沌控制的推广和应用有着积极的意义。