近年来，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体器件在电驱动系统中的应用越来越广泛，有效地提高了系统的功率密度。然而，SiC器件的高频和高速特性加剧了系统内的电磁干扰问题。此外，电力驱动系统中的电缆表现出明显的天线效应，将传导EMI辐射到周围空间，从而影响其他敏感设备的正常工作。因此，研究能够主动抑制电磁干扰和预测电机驱动系统辐射干扰的电机驱动系统拓扑结构至关重要。四模块电机与并联逆变器的拓扑结构可以在源端实现对电磁干扰的主动抑制。本文对并联逆变器驱动的四模块电机系统进行了基于仿真的辐射干扰预测。分析了共模和差模辐射干扰的耦合机理，并通过仿真验证了直流和交流电缆的辐射干扰，预测了实际系统中对周围敏感设备的影响。