本文基于同步整流型反激变换器，针对原边主开关管与副边同步整流管，提出了一种最佳Q-ZVS调制方法，可有效提高整机效率。文中分析了原边开关管的开通损耗与副边产生负电流期间整流管的导通损耗，总结了原边开关管实现准零电压开通的工作条件，对比了超级结MOSFET与传统垂直MOSFET的寄生电容特性，利用MATLAB的数据拟合功能，计算了不同开启阈值下原边开关管实现Q-ZVS所需的栅极电荷量以及对应的两种损耗，进而选取原边开关管的最优Q-ZVS电压。最后通过仿真验证了该最佳Q-ZVS调制方法的可行性。