绝缘栅双极型晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求，传统的栅极驱动CGD（conventional gate drive）对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限，主要因其降低过冲总是以牺牲开关时间和开关损耗为代价。基于此，提出1种新的主动栅极驱动AGD（active gate drive）控制方法，用于抑制IGBT开关过程中产生的电流和电压过冲，其原理是在IGBT高di/dt和dv/dt阶段主动调节驱动电压，减小电流和电压的变化率，从而抑制电流和电压过冲。实验结果表明，相比传统驱动方法，所提方法可在基本不降低开关速度和不增加开关损耗的同时，显著降低IGBT开关过程中的电流和电压过冲。