磁心损耗是功率磁元件重要参数之一。针对交流功率计法在测量超低损耗角磁心损耗时有很大误差的问题，直流功率法采用矩形波输入测量损耗，不受被测件阻抗角大小的影响，从理论上可以精确地测量损耗，但早期运用较多的功率MOSFET开关管的开关频率只能达到kHz级。为了提高开关频率，扩大测量范围，本文介绍了采用GaN作为开关元件的直流功率测量方法，建立了MHz级磁心损耗直流功率测量装置，并通过对比实验结果和理论模型验证了该方法和装置的精确度和可行性。