提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型，该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案，采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性，采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性，并与传统导通电阻建模方案进行对比，其最大误差为4.1%。