随着开关频率的提高，寄生参数成为影响GaN开关性能的重要因素，为了更好且安全地发挥GaN的优势，首先分析了双脉冲测试电路的工作原理，并搭建了双脉冲实验平台，测得了GaN的开通和关断特性。然后，针对测试当中的电压和电流振荡问题，通过LTspice软件和制造商提供的GaN SPICE模型对电路中的寄生参数进行了仿真分析，得到了不同位置寄生电感变化时，会在开关过程给GaN带来不同程度的电压、电流振荡，同时也为优化设计高频电路的布局、合理分配各个位置寄生电感提出了建议。最后，为了抑制关断过程中的电压振荡，比较了几种常用的缓冲电路，提出了一种新型的RCCD缓冲电路，通过仿真对比可以有效减小电压过冲和振荡。