氮化镓（GaN）（gallium nitride）材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前，GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中，横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体（CMOS）（complementary metal-oxide-semiconductor）工艺兼容性已逐步实现产业化，但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题；垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压，具有非常广阔的市场前景，也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此，主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。