本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性，并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性、导通特性及开关特性的影响。研究结果表明，采用隐埋型FS层，可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性，同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善，并且高温漏电流更小，高温稳定性能更好。