宽禁带WBG（wide band gap）半导体电力电子器件由于其开关频率高、开关速度快、寄生参数大等特点从噪声源头引发了越来越严峻的电磁干扰问题。然而，传统的噪声源研究主要集中在30 MHz传导频段以内，如何评估噪声源在30~300 MHz较高频率范围内的辐射频段产生的影响仍存在不确定性，因此提出1种改进的WBG器件电磁干扰分析模型，与传统的非对称梯形波电磁干扰模型相比，首次详细考虑了WBG器件的结电容和跨导体的非线性特性，评估了非线性参数对辐射频段噪声的影响，并进一步提出该模型在辐射频段噪声源抑制中的应用。仿真结果验证了所提计算方法的准确性，基于SiC器件的硬件测试结果与理论分析相吻合。