氮化镓（GaN）器件由于具有开关速度快和导通电阻低的优势而得到越来越广泛的应用。然而，这些特性也可能导致GaN器件出现严重的开关振荡，例如误触发振荡。误触发振荡会造成电压和电流超调、严重的电磁干扰甚至损坏功率器件。与单个器件相比，并联GaN器件适用于需要更高电流和更大功率的应用场景，但是这将使其更容易受到误触发振荡的影响。然而，现有的对于并联GaN器件误触发振荡的研究还不充分。本文结合了器件并联的工作原理和稳定性判据，对并联GaN器件的误触发振荡进行了全面分析。首先，本文分析了器件在非对称并联情况下的振荡机理；其次，建立了考虑寄生参数的误触发振荡等效电路模型；此外，本文还研究了并联电路和器件参数对振荡稳定性的影响。最后，通过实验验证了理论的准确性，并提供了防止并联GaN器件出现误触发振荡的设计建议。