本文设计了一种采用SiC MOSFET的高功率密度的双向隔离DC/DC变换器——双主动全桥（Dual Active Bridge, DAB）。分析了双主动全桥变换器的工作原理，推导了开关器件实现软开关的条件，给出了移相角及电路参数的设计方法，并进行了器件选型和损耗分析。最后，仿真及实验结果验证了分析和设计的准确性。