随着电力电子技术的发展，射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN（gallium nitride）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气2DEG（two-dimensional electrons gas）等优点。 GaN功率器件与硅（Si）功率器件相比，具有导通阻抗低，输入、输出电容小等特性，这些特性使得GaN功率器件高开关速度、低损耗。在E类功率射频电源的基础上，采用GaN功率器件设计制作了一款开关频率为4 MHz、功率可调的全固态射频电源实验样机。通过电路的设计和优化，样机的输出功率为21.4 W时，效率达到了96.7%；同时，采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件，实验数据验证了GaN器件开关速度快、损耗低，可大幅度提高射频电源的效率。