成功制备了1200V/60mΩ的沟槽型SiC MOSFET器件。基于仿真研究优化了关键参数，通过在栅沟槽两侧形成深掩蔽区实现对栅介质的良好保护。经测试，器件的击穿电压1450V，比导通电阻2.52mΩ/cm²，阈值电压3.7V，雪崩耐量0.78J，实现了良好的导通特性和雪崩耐受性。