本文研究了p-GaN HEMTs器件在重复UIS应力下的退化行为及其机理。通过测试表征应力前后电学性能，发现器件的阈值电压、导通电阻、关态漏电流均出现退化，且退化的方向存在转折现象。进一步的测试和仿真表明，在UIS应力下器件内部存在较强电场，AlGaN势垒层中的Mg被进一步电离导致阈值电压增大、导通电阻增大、漏电流减小。当重复UIS应力达到一定次数后，碰撞电离产生的空穴扩散到沟道区降低势垒，导致上述性能朝着相反的方向退化。这些结果为p-GaN HEMTs器件的可靠应用提供了深刻的见解和参考。