为缩小片上集成磁性元件体积，从而为集成片上电源奠定基础，一方面可以提高激励频率以提高元件的功率密度，另一方面，则可以采用高磁导率的软磁薄膜，在一定频率范围内有效提高磁性元件的电感量。为有效分析与设计此类片上磁性元件，必须对其所用的薄膜磁芯损耗予以准确测量。但是，经典的两绕组法在用于高频下薄膜磁芯的损耗测量时会出现种种问题，严重影响测量的精确度：首先，高频磁芯损耗测量所具有的相位误差是一个经典的测量误差来源。其次，随着开关频率的增加和被测材料厚度的减小，空气芯耦合效应将对测量结果产生严重影响。最后，非完全耦合导致的漏感也会使损耗和磁密的估算产生偏差。为此，本文综合研究了相位误差、空气芯耦合效应与漏感对高频薄膜磁芯损耗测量精度的影响，并针对上述各种因素提出了一种可靠的误差消除方法。