针对前触发的同面电极结构PCSS沿面闪络和光吸收较浅的问题，本文提出了一种同面类体结构的开关，通过实验和仿真分别对不同电极间隙的同面类体结构光导开关进行导通特性的研究，并与传统开关作对比。通过仿真发现，相较传统开关，不同间隙同面类体结构开关在空气接触面的峰值场强分别降低了20%～42%，量子效率提高了170%。采用高纯半绝缘4H-SiC材料为衬底、GaN为外延层制备了不同电极间隙、刻蚀深度为1.5μm的同面类体结构光导开关。使用355nm YAG激光器，外加直流高压源对开关进行了测试。结果表明，2.5mm间隙的同面类体结构开关实现了与传统结构5mm间隙开关相同的击穿电压，且前者量子效率是后者的260%。