SiC材料相对于Si材料在多个方面具有显著的优点，特别是高热导率、高击穿电场、宽带隙等等，因而SiC MOSFET也在高功率、高温等应用中备受青睐。然而与Si MOSFET相比，SiC MOSFET需要设计专门的驱动电路，其中就包括解决桥式电路中上下两桥臂之间的串扰问题。本文设计了一种在SiC MOSFET的栅极注入和吸收电流的电路，通过减小互补开关管的dv/dt，减小互补开关管出现的电压尖峰，抑制串扰。LTspice仿真平台的仿真结果验证了本文设计的栅极注入和吸收电流的电路可以有效减小互补开关管的dv/dt，较为有效地抑制串扰问题。