为了提高SiC MOSFET的可靠性，针对SiC MOSFET的快速可靠的故障检测与保护是关键技术之一。本文提出了一种基于新型电流传感器——隧道磁电阻TMR的故障检测与保护方法。TMR的电阻值会随着磁感应强度的变化而变化，将其组成桥式电路可用于电流检测。本文采用单芯片TMR传感器测量流经SiC MOSFET模块的电流，将该电流与阈值相比较以实现短路保护，并使用两电平软关断避免电压尖峰。搭建了基于1200 V/416 A SiC MOSFET模块的实验样机，将TMR传感器集成到SiC MOSFET模块内部以拓展其应用场景，结果表明TMR具有良好的测量精度。在不同温度、不同类型的短路及过流故障中均能快速保护SiC MOSFET模块，例如25 ℃时阈值为666 A的硬开关故障的检测和保护时间分别为70 ns和850 ns。