逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型功率半导体器件，实现了IGBT和续流二极管的片内集成，具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。 RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象，建立物理模型详细分析其产生机理及影响因素，得出了缓冲层掺杂浓度是决定回跳电压大小的重要因素。进一步通过控制变量法，利用TCAD仿真软件，从导通特性、并联均流特性和开关特性三个方面详细测试，分析了具有不同程度回跳现象的RC-IGBT在实际电路应用中的影响。通过合理的参数选择，可将回跳电压控制在可接受的范围内，并提高了器件的综合性能，为RC-IGBT设计优化和实际应用提供了有价值的参考和理论指导。