绝缘栅双极性晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。由于器件内部的性能差异和外围电路参数不一致等，引起IGBT模块之间电压不均衡问题，威胁其运行安全。综述了国内外IGBT串联均压方法的发展及其研究现状。根据均压方法机理的不同，将IGBT串联均压方法分为被动均压方法和主动均压方法两种，进一步将主动均压方法归纳为无源控制方法和有源控制方法两类。根据各类方法的基本电路拓扑分析了均压原理，梳理了不同方法在电路拓扑、参数选择和控制策略等方面的优化和最新进展。通过均压效果、附加损耗和可靠性等多方面对不同均压方法进行对比，被动均压方法拓扑简单不需外加控制电路更适合在低频应用场合，在高频应用场合中，准有源栅极控制法以单驱动与无源器件相结合的方式，具有良好的发展前景。最后对IGBT串联均压方法进行了展望。