碳化硅（silicon carbide，SiC）功率器件因其固有优势被广泛应用于各类变换器中，其可靠性问题备受关注。导通压降是当前最受关注的评估功率器件健康状态的指标之一，目前导通压降研究多聚焦器件级监测，变换器级监测研究较少，且现有的变换器级导通压降监测电路并不能在较宽的测量电压范围内保持低误差。为此，本文提出了一种在全测量电压范围内的高精度变换器级SiC MOSFET导通压降监测电路。首先阐明了提出电路的工作原理及其在单相逆变器中的监测机制。然后对监测电路的稳态误差εt和动态响应时间T进行了理论分析，证明了该方法的可行性。最后建立单相逆变器和监测电路实验平台，验证了该方法的有效性，与现有研究相比，提出电路在全测量电压范围内具有更高的精度（εt<0.02%）和快速的动态响应（T≈450ns）。