分析磁阀式可控电抗器MCR（magnetic-valve controllable reactor）的主要工作原理以及MCR铁心损耗的主要来源，得出在工程上磁滞损耗与涡流损耗的计算公式。在传统磁阀结构的基础上提出了新型磁阀结构，并对传统磁阀结构与新型磁阀结构进行对比分析。通过理论分析可知，新磁阀结构采用圆弧面作为磁场缓冲面，减少了磁阀处磁场的发散量，使磁阀处磁通密度分布更加均匀，进而大大降低了磁阀处的漏磁损耗。使用Ansys电磁场仿真软件，在相同电压等级下分别对传统磁阀结构MCR和新型磁阀结构MCR进行三维动态仿真，采集一个工作周期内的四个仿真时刻，对比分析两种MCR铁心磁阀处的磁通密度分布场图。仿真结果表明：新磁阀结构MCR铁心中的磁通分布得到了优化，磁通密度更加均匀，磁场发散情况得到了很大改善，进而有效地减少了MCR的漏磁损耗。仿真结果验证了理论分析的正确性，同时说明了新型磁阀结构的合理性与先进性。