快速通断的开关信号是造成开关电源电磁干扰EMI（electromagnetic interference）的主要原因。目前，关于混沌抑制EMI技术的研究主要集中在利用整数阶混沌抑制传导EMI。在此基础上，本文对分数阶混沌在辐射EMI上的抑制以及最优阶次的选取问题展开研究。首先，通过分数阶Lorenz的频谱特性及Lyapunov指数谱分析，优选出1.8阶Lorenz信号为最佳扩频序列；其次，基于变开关频率抑制EMI技术的基本原理，在STM32单片机中分别实现了定频、整数阶、2.7阶、1.8阶Lorenz混沌扩频PWM信号，在一台5 W反激变换器中进行近场辐射实验，证明了1.8阶Lorenz信号对近场磁场辐射抑制作用最强；最后，测得分数阶Lorenz混沌与定频PWM控制下，样机的整机效率相差2%左右，验证了分数阶混沌PWM在辐射EMI抑制性能上的优越性。