研究了基于GaN HEMT的有源钳位单相全桥软开关逆变器，分析了GaN器件高dv/dt所带来的严重噪声对驱动电路、控制电路的影响，按照一套统一的噪声评价标准，验证了几种针对高频开关噪声的抑制措施。搭建了一台1000W 220V/50Hz的原理样机，采用一种有源钳位载波移相SPWM调制方式，实现了逆变器全周期内所有开关管ZVS开通，显著减小了开关噪声，实现了97.6%的峰值效率。