功率半导体器件开关过程的特性对应用至关重要，因为开关速度决定了功率转换器的性能。由于较高的开关转换速率，碳化硅（SiC）器件的准确表征比硅对应器件更困难。它可能导致功率环路中的振铃，并最终导致表征错误。针对这一问题，本文推导了精确的开关轨迹数学模型，以准确提取SiC MOSFET开关过程中的电压和能量损耗。提出了一种基于模型的真实波形恢复方法，以减轻寄生参数对动态表征的影响。在不改变硬件的情况下，可以提高SiC器件动态分析的准确性。