本文中提出了一种新的直接键合铜（DBC）布局，以抑制具有并联碳化硅（SiC）MOSFET 的多芯片功率模块的短路电流不平衡。与典型的 SiC 功率模块 DBC 布局相比，该布局有效地抑制了功率模块中各器件之间的共源极电感失配，从而提高了多芯片功率模块的均流性能。通过仿真和实验结果验证了分析结果，进一步验证了该方法的有效性。