为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对 SiC MOSFET 可靠性的影响，结合高温栅偏和电子辐照 2 种实验对 SiC MOSFET 电学特性进行分析，讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对 SiC MOSFET 阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响，实验时将被测器件裸露于空气中。实验结果表明，高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感，因此提出了电子辐照对 SiC MOSFET 高温栅偏老化后阈值电压影响的指数关系，且 0.2 MeV 电子能量辐照 300 kGy 剂量可将 39 V、150 ℃、2 h 高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。在 Sentaurus TCAD 仿真软件中建立 SiC MOSFET 基础数值模型，设置氧化物内电子浓度和空穴陷阱，模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响，讨论阈值电压恢复机制。