本文给出了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的项目研究，由于碳化硅MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率等特性，逆变电路的拓扑结构得到简化并提高了功率密度。同时利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20kW实验样机证明了SiC MOSFET在该中大功率三相双向逆变器中相比硅基IGBT方案的突出优势。