氮化镓（GaN）（gallium nitride）作为第三代半导体材料的代表之一，具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点，在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点，可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管（SBD，Schottky barrier diode）目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度，介绍了各种优化SBD性能的方法。最后，对器件的未来发展进行了展望。