本文对1200V增强型双沟槽碳化硅金属氧化物场效应晶体管（RDT-SiC MOSFET）开展了不同栅源电压（VGS）下的单次和重复浪涌电流评估与失效机理的分析。在单次浪涌电流试验中，VGS=18V时失效前静态参数随峰值浪涌的增加退化较明显，VGS=0V和VGS=-3V时失效前静态参数几乎不退化。VGS=18V和VGS=0V时单次浪涌电流失效机理为源极金属熔化，导致三端短路。VGS=-3V时单次浪涌电流失效机理为栅氧化层破裂导致栅源短路。取失效时的单次浪涌峰值电流的80%作为重复试验时的浪涌峰值电流进行重复试验，三种栅压下器件静态参数在失效前均随重复次数的增加有明显变化，且失效机理均为栅极金属熔化导致栅源短路。通过准确理解该失效机理，对如何在变换器中用好RDT-SiC MOSFET与器件的加固研究具有重要指导作用。