介绍了1种改进型4H-SiC超结UMOS器件。该结构引入上下掺杂浓度不同的P柱并采用底部厚氧化层。P柱可以与N漂移层形成超结结构，从而在保持高击穿电压的同时减小比导通电阻，底部厚栅氧化层可以减小栅漏电容。结合实际的MOSFET工艺，通过SRIM仿真给出了离子注入条件，并通过TCAD软件对器件结构参数进行优化仿真，得到了击穿电压为1035V、比导通电阻为0.886mΩ·cm²的超结UMOS器件。