碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）在高温、高频、高压应用上有显著优势，可以利用其高温优势提高器件的工作温度，相应地也要提高驱动电路的耐温水平。同时，考虑到器件在高温下开通电流过冲更加严重，需要进行抑制。本文首先分析了SiCMOSFET开通电流过冲的产生机理，接着设计了一款耐环温120°C的高温驱动电路，并在驱动电路中加入电流过冲抑制电路，搭建双脉冲实验平台进行了实验验证。实验结果表明，设计的驱动板可以在120°C环温下可靠工作，并且在高温下电流过冲抑制电路取得明显的抑制效果。