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会员 SiC MOSFET在通讯电源产品运用价值分析
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  • 作者:
    王鸿  , 杨运东  , 王纲  , 杨鹏  
  • 页数:
    7
  • 页码:
    1767 - 1773
  • 资源:
  • 文件大小:
    0.67M
摘要
为应对全球气候变化,我国提出了2030年前实现“碳达峰”,2060年前实现“碳中和”的目标,对碳排放、资源的高效利用提出了很高的要求。同时随着大功率5G通信设备的快速发展和运用,通讯基站能量需求激增。为契合国家和业界需求,实现绿色能源、高效能源;高效率、高功率密度将是通信电源产品中极为核心的关键需求。基于第三代半导体材料SiC制作而成的SiC MOSFET,比Si基MOSFET在耐高压、耐高温、开关速度快等多方面具有明显优势。本文结合通信基站中需求最大的单相整流器产品,通过理论分析、电路设计、计算和实测,最终给出SiC MOSFET在通信电源产品运用价值的分析,以期在高效电源产品设计中提供有价值的参考。
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