高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和，在结构设计上往往需采用开放的空间磁路，但这会对周围元件造成电磁耦合，带来额外的近场损耗和引发局部高温问题。因此， 详细分析了高频大电流电抗器的磁场分布特征，讨论了近场磁场对周围金属支撑件带来的高频附加损耗影响，并结合实际工程应用案例，进行理论分析与建模仿真，最终得出改善方案。