针对SiC MOSFET传统驱动电路受高开关速度及寄生参数影响而产生桥臂串扰现象的问题，本文对现有几种典型抑制串扰驱动电路进行研究，并对比分析其驱动特性，为改进与优化抑制串扰驱动设计提供参考依据。首先，论文阐述了桥臂串扰现象产生机理及几种典型抑制串扰驱动方法。其次，分析了不同典型抑制串扰驱动电路的工作原理，建立了不同驱动电路的仿真模型，并比较其驱动特性。结果表明，现有典型抑制串扰驱动电路存在增长开关延时、增大开关损耗、增加控制复杂程度和单向抑制电压峰值等问题。