以 SiC MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件近年来受到越来越多的关注，将在更多的场合得到应用。SiC MOSFET 本身较小的寄生参数带来了开关速度及开关损耗等优势，但是也会造成开关瞬态产生较大的电压过冲，增加电磁干扰甚至损坏器件。本文提出了一种新型的控制电路，可以有效减小 SiC MOSFET 的电压过冲，相比传统方法，可以缩短关断延时并降低开关损耗。