碳化硅（silicon carbide，SiC）器件作为一种宽禁带半导体器件，具有耐高压、高温、导通电阻低等优点。在异步电机中使用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT能够有效地提高控制性能，实现高精度控制效果。死区作为桥式逆变器不可缺少的一部分，在电机控制中会造成电流波动和输出转矩脉动等问题。目前研究碳化硅MOSFET的死区补偿方法的文献较少，且存在着实现复杂、补偿效果差的问题。针对该问题，本文提出了一种改进坐标变换死区自适应补偿策略，相较于传统补偿方法而言，该方法实现简单且运算量低，最后通过仿真验证了本文所提方法能够有效抑制电机转矩脉动，证明了该方法的有效性。