为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅（SiC）MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真，本文针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型（voltage-controlled current source type，VCCST）PSpice仿真模型。具体而言，为了获得SiC MOSFET准确的静态特性，本文建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核，以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性；为了获得SiC MOSFET准确的动态特性，本文建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容（CGD）子电路模型。本文提出的SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时，能够满足模型准确性的要求。将建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验，并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了提出的SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性，从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。