近年来，宽禁带器件SiC MOSFET在并网逆变器邻域已经取得了越来越多的关注。首先，讨论了SiC MOSFET三相并网逆变器EMC模型的建立 ，并通过分析噪声源的模型进行等效替代 ，结合逆变器损耗对于噪声传导路径的阻尼作用，得到了SiC逆变器的EMC仿真模型和理论模型；然后，通过逆变器平台实验的结果与仿真模型和理论模型的结果进行了对比，验证了模型的可行性；最后，通过实验比较了沟道栅SiC逆变器、平面栅SiC逆变器和Si IGBT逆变器3者在相同开关频率下的传导干扰和不同开关频率下的满载效率。