SiC BJT新型器件是Si IGBT器件的有力竞争对手， 具有耐高温、导通电阻小、电流增益大、短路特性好等优势。 目前国内外关于SiC BJT的研究很少，缺乏具体的应用研究。本文基于SiC BJT的理论模型，通过单脉冲实验研究SiC BJT的静态特性，通过双脉冲实验研究SiC BJT的动态特性。并通过理论分析解释实验现象，总结器件在实际使用中需要注意的事项，实验研究结果对SiC BJT的具体应用具有一定的指导意义。