设计搭建了扫描电化学显微镜（SECM）与电池充放电仪联用的实时界面检测平台（In-situ SECM），研究了硅薄膜电极放电过程中界面电化学反应动力学活性演变，定量地测量出了不同电位下硅薄膜电极界面电子转移常数keff。放电至0.6 V时有机SEI的生成导致keff升高，进一步放电至0.1 V时下降，对应电子性质较差的无机SEI的生成。由于体积膨胀的存在，放电结束后keff有所回升。