随着绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）向高电压、大功率化方向发展，其产生的热量和运行温度快速上升，致使其绝缘封装系统失效问题愈发突出。为满足IGBT日益严苛的工作环境，亟需研发一种高性能的有机硅灌封材料。本文通过化学合成制备了苯基改性有机硅凝胶（phenyl modified silicone gel，PMSG），重点研究了其耐热和介电性能，结果表明：PMSG失重5%的热失重温度为381℃，室温击穿场强可达32.62 kV/mm，比纯有机硅凝胶（pure silicone gel，PSG）提高了17.42%，且150℃击穿场强相较于室温击穿场强仅下降25.38%，展现出更优良的高温耐电特性；同时，其相比于PSG具有较低的介电损耗。因此，PMSG作为IGBT封装材料时，整体性能更加优良。本研究将为IGBT封装用新型高性能绝缘材料的研制提供有效思路和理论基础。