本文提出了一种超结屏蔽栅MOSFET（SJSGT）新结构，是通过在传统沟槽栅超结MOS（SJMOS）中引入屏蔽栅形成。新结构在降低器件导通电阻的同时可降低器件的栅电荷，使其具有更快的开关速度。以200V的SJSGT为例，采用专业软件对其静动态特性和雪崩耐量进行了仿真分析。结果表明，与传统SGT和沟槽栅SJMOS相比，在保证雪崩耐量的情况下，SJSGT具有更高的击穿电压、更低的导通电阻及较快的开关速度。